Effect of the implantation temperature on lattice damage of Be +-implanted GaN

  1. Pastor, D.
  2. Cuscó, R.
  3. Artús, L.
  4. González-Díaz, G.
  5. Fernández, S.
  6. Calleja, E.
Aldizkaria:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Argitalpen urtea: 2005

Alea: 20

Zenbakia: 5

Orrialdeak: 374-377

Mota: Artikulua

DOI: 10.1088/0268-1242/20/5/009 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus