Evidence of phosphorus incorporation into InGaAs/InP epilayers after thermal annealing

  1. Hernández, S.
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  4. González-Díaz, G.
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  6. Artús, L.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 93

Nummer: 11

Seiten: 9019-9023

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1565175 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus