Study of the electrical activation of Si+-implanted InGaAs by means of Raman scattering

  1. Hernández, S.
  2. Cuscó, R.
  3. Blanco, N.
  4. González-Díaz, G.
  5. Artús, L.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2003

Volumen: 93

Número: 5

Páginas: 2659-2662

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1542659 GOOGLE SCHOLAR
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