Electrical characterization of low nitrogen content plasma deposited and rapid thermal annealed Al/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor structures

  1. Castán, H.
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  6. González-Díaz, G.
Revista:
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

ISSN: 0021-4922

Año de publicación: 2000

Volumen: 39

Número: 11

Páginas: 6212-6215

Tipo: Artículo

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