Electrical characterization of electron cyclotron resonance deposited silicon nitride dual layer for enhanced AI/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor structures fabrication

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1999

Volumen: 86

Número: 12

Páginas: 6924-6930

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.371774 GOOGLE SCHOLAR
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