Deep levels in p+-n junctions fabricated by rapid thermal annealing of Mg or Mg/P implanted InP

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  7. González-Díaz, G.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1997

Volumen: 81

Número: 7

Páginas: 3143-3150

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.364348 GOOGLE SCHOLAR
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