Deep-level transient spectroscopy and electrical characterization of ion-implanted p-n junctions into undoped InP

  1. Martin, J.M.
  2. García, S.
  3. Mártil, I.
  4. González-Díaz, G.
  5. Castán, E.
  6. Dueñas, S.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1995

Volum: 78

Número: 9

Pàgines: 5325-5330

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.359710 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus