Effects of Gd2O3 Gate Dielectric on Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs

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Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2017

Volumen: 38

Número: 5

Páginas: 611-614

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2017.2682795 GOOGLE SCHOLAR
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