Thermal Assessment of AlGaN/GaN MOS-HEMTs on Si Substrate Using Gd2O3 as Gate Dielectric

  1. Gao, Z.
  2. Romero, M.F.
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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2016

Volumen: 63

Número: 7

Páginas: 2729-2734

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2016.2564301 GOOGLE SCHOLAR
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