Scavenging effect on plasma oxidized Gd2O3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates

  1. Pampillón, M.A.
  2. Feijoo, P.C.
  3. San Andrés, E.
  4. García, H.
  5. Castán, H.
  6. Dueñas, S.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Any de publicació: 2015

Volum: 30

Número: 3

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/30/3/035023 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus