Influence of RF-sputtering power on formation of vertically stacked Si 1-x Ge x nanocrystals between ultra-thin amorphous Al 2 O 3 layers: Structural and photoluminescence properties

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Revista:
Journal of Physics D: Applied Physics

ISSN: 0022-3727 1361-6463

Año de publicación: 2013

Volumen: 46

Número: 38

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0022-3727/46/38/385301 GOOGLE SCHOLAR