Multi-microscopy study of the influence of stacking faults and three-dimensional In distribution on the optical properties of m-plane InGaN quantum wells grown on microwire sidewalls

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2016

Volumen: 108

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4940748 GOOGLE SCHOLAR

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