Low-to-Mid Al Content (x = 0–0.56) AlxIn1−xN Layers Deposited on Si(100) by Radio-Frequency Sputtering

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Revista:
Physica Status Solidi (B) Basic Research

ISSN: 1521-3951,  0370-1972

Año de publicación: 2020

Volumen: 257

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/PSSB.201900575 GOOGLE SCHOLAR
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