High quality Al0.37In0.63N layers grown at low temperature (<300 °C) by radio-frequency sputtering

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Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 2019

Volumen: 100

Páginas: 8-14

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSSP.2019.04.029 GOOGLE SCHOLAR

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