Synthesis of Ge1-xSnx alloys by ion implantation and pulsed laser melting: Towards a group IV direct bandgap material

  1. Tran, T.T.
  2. Pastor, D.
  3. Gandhi, H.H.
  4. Smillie, L.A.
  5. Akey, A.J.
  6. Aziz, M.J.
  7. Williams, J.S.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2016

Volumen: 119

Número: 18

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4948960 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus