Synthesis of Ge1-xSnx alloys by ion implantation and pulsed laser melting: Towards a group IV direct bandgap material

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550 0021-8979

Año de publicación: 2016

Volumen: 119

Número: 18

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4948960 GOOGLE SCHOLAR