Impact of memory voltage scaling on accuracy and resilience of deep learning based edge devices

  1. Denkinger, B.W.
  2. Ponzina, F.
  3. Basu, S.S.
  4. Bonetti, A.
  5. Balasi, S.
  6. Ruggiero, M.
  7. Peon-Quiros, M.
  8. Rossi, D.
  9. Burg, A.
  10. Atienza, D.
Revista:
IEEE Design and Test

ISSN: 2168-2364,  2168-2356

Any de publicació: 2020

Volum: 37

Número: 2

Pàgines: 84-92

Tipus: Article

DOI: 10.1109/MDAT.2019.2947282 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus