Simulaciones cuánticas de semiconductores mediante integrales de camino de Feynman
- Noya Escudeiro, José Carlos
- Rafael Ramírez Director/a
Universitat de defensa: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 07 de de juliol de 1998
- Enrique García Michel President/a
- María Soler Jose Secretari/ària
- Luis Fernando Mederos Martín Vocal
- Enrique Chacón Xérica Vocal
- Eduardo Enciso Rodríguez Vocal
Tipus: Tesi
Resum
Mediante simulaciones de monte carlo usando las integrales de camino estudiamos propiedades de equilibrio que dependen del caracter cuántico de los núcleos; tales como el parámetro de celda; la capacidad calorífica; etc. usando la aproximación de la teoría cuántica del estado de transición se ha calculado la constante de reorientación del complejo B-H en silicio; poniendo de manifiesto la transición a 60 k de un régimen de difusión clásico a uno mediante tunel activado por fonones.