Simulaciones cuánticas de semiconductores mediante integrales de camino de Feynman

  1. Noya Escudeiro, José Carlos
Dirigida per:
  1. Rafael Ramírez Director/a

Universitat de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 07 de de juliol de 1998

Tribunal:
  1. Enrique García Michel President/a
  2. María Soler Jose Secretari/ària
  3. Luis Fernando Mederos Martín Vocal
  4. Enrique Chacón Xérica Vocal
  5. Eduardo Enciso Rodríguez Vocal

Tipus: Tesi

Teseo: 67712 DIALNET

Resum

Mediante simulaciones de monte carlo usando las integrales de camino estudiamos propiedades de equilibrio que dependen del caracter cuántico de los núcleos; tales como el parámetro de celda; la capacidad calorífica; etc. usando la aproximación de la teoría cuántica del estado de transición se ha calculado la constante de reorientación del complejo B-H en silicio; poniendo de manifiesto la transición a 60 k de un régimen de difusión clásico a uno mediante tunel activado por fonones.