Simulaciones cuánticas de semiconductores mediante integrales de camino de Feynman
- Noya Escudeiro, José Carlos
- Rafael Ramírez Directeur/trice
Université de défendre: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 07 juillet 1998
- Enrique García Michel President
- María Soler Jose Secrétaire
- Luis Fernando Mederos Martín Rapporteur
- Enrique Chacón Xérica Rapporteur
- Eduardo Enciso Rodríguez Rapporteur
Type: Thèses
Résumé
Mediante simulaciones de monte carlo usando las integrales de camino estudiamos propiedades de equilibrio que dependen del caracter cuántico de los núcleos; tales como el parámetro de celda; la capacidad calorífica; etc. usando la aproximación de la teoría cuántica del estado de transición se ha calculado la constante de reorientación del complejo B-H en silicio; poniendo de manifiesto la transición a 60 k de un régimen de difusión clásico a uno mediante tunel activado por fonones.