Simulaciones cuánticas de semiconductores mediante integrales de camino de Feynman

  1. Noya Escudeiro, José Carlos
Dirigée par:
  1. Rafael Ramírez Directeur/trice

Université de défendre: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 07 juillet 1998

Jury:
  1. Enrique García Michel President
  2. María Soler Jose Secrétaire
  3. Luis Fernando Mederos Martín Rapporteur
  4. Enrique Chacón Xérica Rapporteur
  5. Eduardo Enciso Rodríguez Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 67712 DIALNET

Résumé

Mediante simulaciones de monte carlo usando las integrales de camino estudiamos propiedades de equilibrio que dependen del caracter cuántico de los núcleos; tales como el parámetro de celda; la capacidad calorífica; etc. usando la aproximación de la teoría cuántica del estado de transición se ha calculado la constante de reorientación del complejo B-H en silicio; poniendo de manifiesto la transición a 60 k de un régimen de difusión clásico a uno mediante tunel activado por fonones.