Preparación y caracterización del esquema de metalización al silicio TiSi2/TiN
- Pérez Rigueiro, José
- José Manuel Martínez Duart Zuzendaria
- Carmen Jiménez Zuzendaria
Defentsa unibertsitatea: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 1995(e)ko abendua-(a)k 13
- José María Sanz Presidentea
- Fernando Flores Sintas Idazkaria
- Carmen Nieves Nieves Afonso Kidea
- José María Albella Martín Kidea
- Germán González Díaz Kidea
Mota: Tesia
Laburpena
El objetivo del trabajo ha sido la obtencion del esquema de metalizacion si/tisi2/tin mediante tratamientos termicos rapidos.Con este objetivo se ha estudiado el proceso basico de formacion del siliciuro a partir del sistema ti/si. Las contribuciones mas originales a esta parte han sido las medidas electricas a baja temperatura y el uso de la microscopia electronica de transmision de alta resolucion para estudiar la pelicula de siliciuro y la intercara silicio/siliciuro. Para la obtencion del esquema si/tisi2/tin se han propuesto tres procesos: Nitruracion del siliciuro de titanio y sistema si/tinx/ti, comprobandose que con todos ellos se alcanza la estructura final buscada.