Preparación y caracterización del esquema de metalización al silicio TiSi2/TiN
- Pérez Rigueiro, José
- José Manuel Martínez Duart Directeur/trice
- Carmen Jiménez Directeur/trice
Université de défendre: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 13 décembre 1995
- José María Sanz President
- Fernando Flores Sintas Secrétaire
- Carmen Nieves Nieves Afonso Rapporteur
- José María Albella Martín Rapporteur
- Germán González Díaz Rapporteur
Type: Thèses
Résumé
El objetivo del trabajo ha sido la obtencion del esquema de metalizacion si/tisi2/tin mediante tratamientos termicos rapidos.Con este objetivo se ha estudiado el proceso basico de formacion del siliciuro a partir del sistema ti/si. Las contribuciones mas originales a esta parte han sido las medidas electricas a baja temperatura y el uso de la microscopia electronica de transmision de alta resolucion para estudiar la pelicula de siliciuro y la intercara silicio/siliciuro. Para la obtencion del esquema si/tisi2/tin se han propuesto tres procesos: Nitruracion del siliciuro de titanio y sistema si/tinx/ti, comprobandose que con todos ellos se alcanza la estructura final buscada.