Proyecto de investigación
PID2020-117498RB-I00
Mejora de la respuesta de fotodetectores de IR basados en semiconductores del grupo IV hiperdopados
date_range
Duración del 09 de enero de 2021 al 31 de agosto de 2024
(44 meses)
Finalizó
Investigadores/as
Publicaciones relacionadas con el proyecto (3)
Mostrar por tipología2023
-
Electronic transport properties of Ti-supersaturated Si processed by rapid thermal annealing or pulsed-laser melting
Semiconductor Science and Technology
-
Ti supersaturated Si by microwave annealing processes
Semiconductor Science and Technology
2022
-
On the Optoelectronic Mechanisms Ruling Ti-hyperdoped Si Photodiodes
Advanced Electronic Materials