Projet de recherche
PID2020-117498RB-I00
Mejora de la respuesta de fotodetectores de IR basados en semiconductores del grupo IV hiperdopados
date_range
Durée de 09 janvier 2021 à 31 août 2024
(44 mois)
Fini
Chercheurs
Publications liées au projet
Montrer par typologie2023
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Electronic transport properties of Ti-supersaturated Si processed by rapid thermal annealing or pulsed-laser melting
Semiconductor Science and Technology
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Ti supersaturated Si by microwave annealing processes
Semiconductor Science and Technology
2022
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On the Optoelectronic Mechanisms Ruling Ti-hyperdoped Si Photodiodes
Advanced Electronic Materials