Crecimiento y caracterizacion de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
- González Díez, María Yolanda
- Luisa González Sotos Director
Defence university: Universidad Complutense de Madrid
Year of defence: 1991
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Chair
- Claudio Aroca Hernández-Ros Secretary
- José Luis Castaño Palazón Committee member
- Dolores Gomayo Fernandez Committee member
- Federico Soria Gallego Committee member
Type: Thesis
Abstract
En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrínsecamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre sí. Se ha estudiado el proceso de nucleación, la distribución de tensiones que aparece debido a la diferencia de parámetros de red y de coeficiente de expansión térmica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilación de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre substratos de sí también tratados a baja temperatura.