Crecimiento y caracterizacion de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
- González Díez, María Yolanda
- Luisa González Sotos Director
Universidade de defensa: Universidad Complutense de Madrid
Ano de defensa: 1991
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Presidente
- Claudio Aroca Hernández-Ros Secretario
- José Luis Castaño Palazón Vogal
- Dolores Gomayo Fernandez Vogal
- Federico Soria Gallego Vogal
Tipo: Tese
Resumo
En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrínsecamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre sí. Se ha estudiado el proceso de nucleación, la distribución de tensiones que aparece debido a la diferencia de parámetros de red y de coeficiente de expansión térmica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilación de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre substratos de sí también tratados a baja temperatura.