Aplicación de la técnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GAAS/N-ALGAAS, N-GAAS/INGAAS y ALAS/INAS/GAAS para dispositivos HEMT

  1. Vázquez López, Manuel
unter der Leitung von:
  1. Fernando Briones Fernández-Pola Doktorvater/Doktormutter

Universität der Verteidigung: Universidad Complutense de Madrid

Jahr der Verteidigung: 1992

Gericht:
  1. José Luis Vicent López Präsident
  2. Claudio Aroca Hernández-Ros Sekretär
  3. José Luis Castaño Palazón Vocal
  4. Germán González Díaz Vocal
  5. Dolores Golmayo Vocal

Art: Dissertation

Teseo: 34169 DIALNET lock_openDocta Complutense editor

Zusammenfassung

En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electrónica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE, epitaxia por haces moleculares de capas atómicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidas de alta movilidad y por otro lado, en unas nuevas heteroestructuras de alta movilidad electrónica en las que los materiales constituyentes tienen diferente parámetro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convencionales. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electrónica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas.