Aplicación de la técnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GAAS/N-ALGAAS, N-GAAS/INGAAS y ALAS/INAS/GAAS para dispositivos HEMT

  1. Vázquez López, Manuel
Dirigée par:
  1. Fernando Briones Fernández-Pola Directeur/trice

Université de défendre: Universidad Complutense de Madrid

Année de défendre: 1992

Jury:
  1. José Luis Vicent López President
  2. Claudio Aroca Hernández-Ros Secrétaire
  3. José Luis Castaño Palazón Rapporteur
  4. Germán González Díaz Rapporteur
  5. Dolores Golmayo Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 34169 DIALNET lock_openDocta Complutense editor

Résumé

En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electrónica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE, epitaxia por haces moleculares de capas atómicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidas de alta movilidad y por otro lado, en unas nuevas heteroestructuras de alta movilidad electrónica en las que los materiales constituyentes tienen diferente parámetro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convencionales. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electrónica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas.