Aplicación de la técnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GAAS/N-ALGAAS, N-GAAS/INGAAS y ALAS/INAS/GAAS para dispositivos HEMT

  1. Vázquez López, Manuel
Zuzendaria:
  1. Fernando Briones Fernández-Pola Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad Complutense de Madrid

Defentsa urtea: 1992

Epaimahaia:
  1. José Luis Vicent López Presidentea
  2. Claudio Aroca Hernández-Ros Idazkaria
  3. José Luis Castaño Palazón Kidea
  4. Germán González Díaz Kidea
  5. Dolores Golmayo Kidea

Mota: Tesia

Teseo: 34169 DIALNET lock_openDocta Complutense editor

Laburpena

En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electrónica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE, epitaxia por haces moleculares de capas atómicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidas de alta movilidad y por otro lado, en unas nuevas heteroestructuras de alta movilidad electrónica en las que los materiales constituyentes tienen diferente parámetro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convencionales. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electrónica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas.