Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Director
Universitat de defensa: Universidad Complutense de Madrid
Any de defensa: 1991
- Luis Bru President/a
- Nieves de Diego Otero Secretària
- Tomas Rodríguez Rodriguez Vocal
- Ángel Remón Sancho Vocal
- Luis González Soto Vocal
Tipus: Tesi
Resum
Los estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.