Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Director
Defence university: Universidad Complutense de Madrid
Year of defence: 1991
- Luis Bru Chair
- Nieves de Diego Otero Secretary
- Tomas Rodríguez Rodriguez Committee member
- Ángel Remón Sancho Committee member
- Luis González Soto Committee member
Type: Thesis
Abstract
Los estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.