Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Doktorvater
Universität der Verteidigung: Universidad Complutense de Madrid
Jahr der Verteidigung: 1991
- Luis Bru Präsident/in
- Nieves de Diego Otero Sekretärin
- Tomas Rodríguez Rodriguez Vocal
- Ángel Remón Sancho Vocal
- Luis González Soto Vocal
Art: Dissertation
Zusammenfassung
Los estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.