Growth and characterization of cdznte crystals doped with bi 10 19 at/cm3

  1. CARCELÉN VALERO, VERONICA
Dirigida por:
  1. Ernesto Diéguez Director/a

Universidad de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 17 de junio de 2010

Tribunal:
  1. Mercedes Carrascosa Rico Presidente/a
  2. Enrique Cutierrez-Puebla Secretario/a
  3. Pedro Hidalgo Alcalde Vocal
  4. María Dolores Serrano Hernández Vocal
  5. Fernando Jesús López Vocal
  6. Eduard Belas Vocal
  7. José Manuel Pérez Morales Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 297855 DIALNET lock_openBiblos-e Archivo editor

Resumen

APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENER MONOCRISTALES SEMICONDUCTORES MEDIANTE EL MÉTODO BRIDGMAN 5 La presente invención describe un aparato para la preparación de un monocristal semiconductor en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT según el método Bridgman que comprende: un elemento resistivo calefactor (1); una ampolla de crecimiento (3); un sistema de soporte (12) de la ampolla 10 de crecimiento que comprende a su vez un tubo de platino (11) cuya parte superior está en contacto con la ampolla de crecimiento; un tubo de cuarzo (5) de igual diámetro que la ampolla de crecimiento, en cuyo interior se sitúa el tubo de platino (11); un tubo de cuarzo (6) en el interior de 15 tubo de platino y centrado con respecto al mismo. La invención describe asimismo un procedimiento para obtener un monocristal que comprende el empleo del aparato de la invención.