Influence of surface hydroxylation on 3-aminopropyltriethoxysilane growth mode during chemical functionalization of GaN surfaces: An angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy study

  1. Arranz, A.
  2. Palacio, C.
  3. García-Fresnadillo, D.
  4. Orellana, G.
  5. Navarro, A.
  6. Muñoz, E.
Revista:
Langmuir

ISSN: 0743-7463

Año de publicación: 2008

Volumen: 24

Número: 16

Páginas: 8667-8671

Tipo: Artículo

DOI: 10.1021/LA801259N GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus