Broad emission band in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC and sapphire

  1. Monteiro, T.
  2. Pereira, E.
  3. Correia, M.R.
  4. Xavier, C.
  5. Hofmann, D.M.
  6. Meyer, B.K.
  7. Fischer, S.
  8. Cremades, A.
  9. Piqueras, J.
Revista:
Journal of Luminescence

ISSN: 0022-2313

Any de publicació: 1997

Volum: 72-74

Pàgines: 696-700

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S0022-2313(96)00328-6 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus