Broad emission band in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC and sapphire

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Revista:
Journal of Luminescence

ISSN: 0022-2313

Año de publicación: 1997

Volumen: 72-74

Páginas: 696-700

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0022-2313(96)00328-6 GOOGLE SCHOLAR
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