Broad emission band in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC and sapphire

  1. Monteiro, T.
  2. Pereira, E.
  3. Correia, M.R.
  4. Xavier, C.
  5. Hofmann, D.M.
  6. Meyer, B.K.
  7. Fischer, S.
  8. Cremades, A.
  9. Piqueras, J.
Revista:
Journal of Luminescence

ISSN: 0022-2313

Ano de publicación: 1997

Volume: 72-74

Páxinas: 696-700

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/S0022-2313(96)00328-6 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus