Failure mechanism of AlN nanocaps used to protect rare earth-implanted GaN during high temperature annealing

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Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2006

Ausgabe: 88

Nummer: 3

Seiten: 1-3

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.2162797 GOOGLE SCHOLAR
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