Good quality Al/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor devices obtained with electron cyclotron resonance plasma method

  1. Garcia, S.
  2. Mártil, I.
  3. Gonzalez Diaz, G.
  4. Castan, E.
  5. Dueñas, S.
  6. Fernandez, M.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 83

Nummer: 1

Seiten: 600-603

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.366647 GOOGLE SCHOLAR
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