Rapid thermally annealed plasma deposited SiNx:H thin films: Application to metal-insulator-semiconductor structures with Si, In 0.53Ga0.47 As, and InP

  1. Mártil, I.
  2. Del Prado, A.
  3. San Andrés, E.
  4. González Díaz, G.
  5. Martínez, F.L.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2003

Volum: 94

Número: 4

Pàgines: 2642-2653

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1592625 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus