Temperature effects on the electrical properties and structure of interfacial and bulk defects in Al/SiNx:H/Si devices

  1. Martínez, F.L.
  2. San Andrés, E.
  3. Del Prado, A.
  4. Mártil, I.
  5. Bravo, D.
  6. López, F.J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2001

Volumen: 90

Número: 3

Páginas: 1573-1581

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1380992 GOOGLE SCHOLAR
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