A detailed analysis of the energy levels configuration existing in the band gap of supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications

  1. Pérez, E.
  2. Dueñas, S.
  3. Castán, H.
  4. García, H.
  5. Bailón, L.
  6. Montero, D.
  7. García-Hernansanz, R.
  8. García-Hemme, E.
  9. Olea, J.
  10. González-Díaz, G.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550 0021-8979

Any de publicació: 2015

Volum: 118

Número: 24

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.4939198 GOOGLE SCHOLAR