A detailed analysis of the energy levels configuration existing in the band gap of supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550 0021-8979

Ano de publicación: 2015

Volume: 118

Número: 24

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.4939198 GOOGLE SCHOLAR