Evidence of phosphorus incorporation into InGaAs/InP epilayers after thermal annealing

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2003

Volumen: 93

Número: 11

Páginas: 9019-9023

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1565175 GOOGLE SCHOLAR
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