Electrical characterization of ECR enhaced deposited silicon nitride bilayers for high quality Al/SiNx/InP MIS structure fabrication

  1. Dueñas, S.
  2. Peláez, R.
  3. Castán, E.
  4. Pinacho, R.
  5. Quintanilla, L.
  6. Barbolla, J.
  7. Mártil, I.
  8. Redondo, E.
  9. González-Díaz, G.
Revista:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics

ISSN: 0957-4522

Año de publicación: 1999

Volumen: 10

Número: 5

Páginas: 373-377

Tipo: Artículo