Conductance transients study of slow traps in Al/SiNx:H/Si and Al/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor structures

  1. Duenas, S.
  2. Pelaez, R.
  3. Castan, E.
  4. Barbolla, J.
  5. Martil, I.
  6. Gonzalez-Diaz, G.
Konferenzberichte:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Datum der Publikation: 1998

Ausgabe: 500

Seiten: 87-92

Art: Konferenz-Beitrag

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