Deep-level transient spectroscopy and electrical characterization of ion-implanted p-n junctions into undoped InP

  1. Martin, J.M.
  2. García, S.
  3. Mártil, I.
  4. González-Díaz, G.
  5. Castán, E.
  6. Dueñas, S.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1995

Volumen: 78

Número: 9

Páginas: 5325-5330

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.359710 GOOGLE SCHOLAR
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