Depth profile study of Ti implanted Si at very high doses
- Olea, J.
- Pastor, D.
- Toledano-Luque, M.
- Mártil, I.
- Gonzlez-Daz, G.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2011
Ausgabe: 110
Nummer: 6
Art: Artikel
