Scavenging effect on plasma oxidized Gd2O3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2015

Volumen: 30

Número: 3

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/30/3/035023 GOOGLE SCHOLAR
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