Study of ion-implantation damage in GaAs:Be and InP:Be using Raman scattering

  1. Rao, C.S.R.
  2. Sundaram, S.
  3. Schmidt, R.L.
  4. Comas, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1983

Volum: 54

Número: 4

Pàgines: 1808-1815

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.332815 GOOGLE SCHOLAR