Hot carrier internal thermionic photoemission in pulsed CO2-laser-excited n+-p silicon junctions

  1. Encinas-Sanz, F.
Revista:
IEEE Journal of Quantum Electronics

ISSN: 0018-9197

Any de publicació: 1997

Volum: 33

Número: 12

Pàgines: 2203-2208

Tipus: Article

DOI: 10.1109/3.644103 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus