Hot carrier internal thermionic photoemission in pulsed CO2-laser-excited n+-p silicon junctions

  1. Encinas-Sanz, F.
Zeitschrift:
IEEE Journal of Quantum Electronics

ISSN: 0018-9197

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 33

Nummer: 12

Seiten: 2203-2208

Art: Artikel

DOI: 10.1109/3.644103 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus